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Mo掺杂BN磁性第一性原理计算
韩雨红; 王青
刊名甘肃科学学报
2013-09-25
期号2013年03期页码:51-54
关键词第一性原理 稀磁半导体 磁性质 电子结构
ISSN号ISSN:1004-0366
DOI10.16468/j.cnki.issn1004-0366.2013.03.044
英文摘要利用LDA+U进行优化,在广义梯度近似下(GGA)采用第一性原理平面波赝势方法,对Mo掺杂的闪锌矿稀磁半导体B1-x Mox N(x=0.062 5,0.125)的电子结构和磁性进行了研究.结果表明,掺入磁性过渡金属Mo后的BN明显呈现出半金属特征,Mo原子在较小的掺杂浓度下构成了中间带隙的深层能级,使得原胞中Mo原子的局域磁矩约3.0μB,并且不随杂质浓度变化而改变.在B1-x Mox N(x=0.0625,0.125)体系多种替位构形中,N220型的Mo-Mo铁磁耦合态最稳定,其铁磁性主要是由双交换机制引起,这对在半导体工业中实现自旋载流子注入具有一定的理论价值.
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语种中文
内容类型期刊论文
源URL[http://119.78.100.223/handle/2XXMBERH/9855]  
专题兰州理工大学
作者单位兰州理工大学理学院
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GB/T 7714
韩雨红,王青. Mo掺杂BN磁性第一性原理计算[J]. 甘肃科学学报,2013(2013年03期):51-54.
APA 韩雨红,&王青.(2013).Mo掺杂BN磁性第一性原理计算.甘肃科学学报(2013年03期),51-54.
MLA 韩雨红,et al."Mo掺杂BN磁性第一性原理计算".甘肃科学学报 .2013年03期(2013):51-54.
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