Mo掺杂BN磁性第一性原理计算 | |
韩雨红; 王青 | |
刊名 | 甘肃科学学报
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2013-09-25 | |
期号 | 2013年03期页码:51-54 |
关键词 | 第一性原理 稀磁半导体 磁性质 电子结构 |
ISSN号 | ISSN:1004-0366 |
DOI | 10.16468/j.cnki.issn1004-0366.2013.03.044 |
英文摘要 | 利用LDA+U进行优化,在广义梯度近似下(GGA)采用第一性原理平面波赝势方法,对Mo掺杂的闪锌矿稀磁半导体B1-x Mox N(x=0.062 5,0.125)的电子结构和磁性进行了研究.结果表明,掺入磁性过渡金属Mo后的BN明显呈现出半金属特征,Mo原子在较小的掺杂浓度下构成了中间带隙的深层能级,使得原胞中Mo原子的局域磁矩约3.0μB,并且不随杂质浓度变化而改变.在B1-x Mox N(x=0.0625,0.125)体系多种替位构形中,N220型的Mo-Mo铁磁耦合态最稳定,其铁磁性主要是由双交换机制引起,这对在半导体工业中实现自旋载流子注入具有一定的理论价值. |
URL标识 | 查看原文 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://119.78.100.223/handle/2XXMBERH/9855] ![]() |
专题 | 兰州理工大学 |
作者单位 | 兰州理工大学理学院 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 韩雨红,王青. Mo掺杂BN磁性第一性原理计算[J]. 甘肃科学学报,2013(2013年03期):51-54. |
APA | 韩雨红,&王青.(2013).Mo掺杂BN磁性第一性原理计算.甘肃科学学报(2013年03期),51-54. |
MLA | 韩雨红,et al."Mo掺杂BN磁性第一性原理计算".甘肃科学学报 .2013年03期(2013):51-54. |
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