低能电子束制备硅基纳米薄膜微结构研究
陈炯枢 ; 陈学康 ; 刘相 ; 刘建喜
刊名真空
2007
卷号44期号:6页码:35-38
关键词电子束直写曝光 选择性化学沉积 图案化 electron beam direct- write exposure selective chemical deposition patternization
ISSN号1002-0322
通讯作者陈学康
中文摘要本文提出了一种新颖的结合自组装技术和电子束直写曝光以及选择性化学沉积制备图案化薄膜方法。利用X-射线光电子能谱(XPS), 扫描电子显微镜(SEM), 透射电子显微镜(TEM)紫外可见光谱仪(Analytic Jena AG)进行了表征。结果表明该方法取得了选择性较好的图案化金薄膜微结构图形。文中对胶体金纳米颗粒尺寸的选择以及金薄膜图案的粘附性能也进行了探讨。该方法有望应用于微/纳电子工业中。
学科主题材料科学与物理化学
收录类别CSCD
语种中文
公开日期2013-11-01
内容类型期刊论文
源URL[http://210.77.64.217/handle/362003/4167]  
专题兰州化学物理研究所_固体润滑国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
陈炯枢,陈学康,刘相,等. 低能电子束制备硅基纳米薄膜微结构研究[J]. 真空,2007,44(6):35-38.
APA 陈炯枢,陈学康,刘相,&刘建喜.(2007).低能电子束制备硅基纳米薄膜微结构研究.真空,44(6),35-38.
MLA 陈炯枢,et al."低能电子束制备硅基纳米薄膜微结构研究".真空 44.6(2007):35-38.
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