总剂量辐射环境中的静态随机存储器功能失效模式研究

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	总剂量辐射环境中的静态随机存储器功能失效模式研究
	郑齐文; 余学峰; 崔江维; 郭旗; 任迪远; 丛忠超
刊名	物理学报
	2013
卷号	62 期号:11 页码:378-384
关键词	静态随机存储器功能失效测试图形数据保存错误
ISSN号	1000-3290
英文摘要	本文对静态随机存储器(SRAM)总剂量辐射引起的功能失效进行了六种不同测试图形下的测试.利用不同测试图形覆盖的出错模式不同,通过对比一定累积剂量下同一器件不同测试图形测试结果的差异,以及对失效存储单元单独进行测试,研究了总剂量辐照引起的SRAM器件功能失效模式.研究表明:器件的功能失效模式为数据保存错误(Data retention fault)且数据保存时间具有离散性,引起数据保存错误的SRAM功能模块为存储单元.通过对存储单元建立简化的等效电路图,分析了造成存储单元数据保存错误以及保存时间离散性的原因,并讨论了该失效模式对SRAM总剂量辐射功能测试方法的影响.
CSCD记录号	CSCD:4852140
公开日期	2013-11-06
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2562]
专题	新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室
作者单位	中国科学院新疆理化技术研究所；新疆电子信息材料与器件重点实验室；中国科学院大学
推荐引用方式 GB/T 7714	郑齐文,余学峰,崔江维,等. 总剂量辐射环境中的静态随机存储器功能失效模式研究[J]. 物理学报,2013,62(11):378-384.
APA	郑齐文,余学峰,崔江维,郭旗,任迪远,&丛忠超.(2013).总剂量辐射环境中的静态随机存储器功能失效模式研究.物理学报,62(11),378-384.
MLA	郑齐文,et al."总剂量辐射环境中的静态随机存储器功能失效模式研究".物理学报 62.11(2013):378-384.