一种基于水导激光加工技术的后减薄晶圆划片方法
曹治赫; 赵吉宾; 乔红超; 陆莹; 孙博宇; 张旖诺; 于永飞
2021-03-19
著作权人中国科学院沈阳自动化研究所
国家中国
文献子类发明
产权排序1
英文摘要本发明涉及晶圆划片加工领域,具体地说是一种基于水导激光加工技术的后减薄晶圆划片方法,包括如下步骤:一、利用水导激光发生装置在晶圆正面沿划片轨迹加工出沟槽;二、在晶圆正面贴保护膜;三、利用金刚石砂轮对晶圆背面进行磨削减薄,直至步骤一中的沟槽露出;四、对晶圆清洗和干燥;五、在晶圆背面粘贴蓝膜,并撕除晶圆正面的保护膜。本发明先利用水导激光加工技术对晶圆正面进行切槽,再从晶圆背面进行减薄,有效降低了晶圆封装工序中划片工序及减薄工序中的废品率。
申请日期2019-08-30
语种中文
状态实审
内容类型专利
源URL[http://ir.sia.cn/handle/173321/28680]  
专题工艺装备与智能机器人研究室
作者单位中国科学院沈阳自动化研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
曹治赫,赵吉宾,乔红超,等. 一种基于水导激光加工技术的后减薄晶圆划片方法. 2021-03-19.
个性服务
查看访问统计
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。


©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace