氦离子注入4H-SiC晶体的纳米硬度研究

	氦离子注入4H-SiC晶体的纳米硬度研究
	张勇; 张崇宏; 周丽宏; 李炳生; 杨义涛
刊名	物理学报
	2010
卷号	000 期号:006 页码:4130-4135
关键词	SiC 注入氦泡纳米压痕
ISSN号	1000-3290
其他题名	Study on nanohardness of helium-implanted 4H-SiC
英文摘要	4H-SiC晶体经能量为100keV,剂量为3×1016cm-2的氦离子高温（500K）注入后,再在773—1273K温度范围内进行了退火处理,最后使用纳米压痕仪测量了样品注入面的硬度.测试结果表明,在500—1273K温度范围内样品的硬度随退火温度升高呈现先增大后减小再增大的趋势,其中773K退火样品的硬度增大明显.分析认为,退火样品的硬度变化是由退火过程中缺陷复合与氦泡生长导致样品内部的Si—C键密度、键长和键角改变引起的.
语种	中文
CSCD记录号	CSCD:3958784
内容类型	期刊论文
源URL	[http://119.78.100.186/handle/113462/139056]
专题	中国科学院近代物理研究所
作者单位	中国科学院近代物理研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	张勇,张崇宏,周丽宏,等. 氦离子注入4H-SiC晶体的纳米硬度研究[J]. 物理学报,2010,000(006):4130-4135.
APA	张勇,张崇宏,周丽宏,李炳生,&杨义涛.(2010).氦离子注入4H-SiC晶体的纳米硬度研究.物理学报,000(006),4130-4135.
MLA	张勇,et al."氦离子注入4H-SiC晶体的纳米硬度研究".物理学报 000.006(2010):4130-4135.