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	一种新型WCrSiN梯度涂层及其制备方法
	杨俊峰; 杨红艳; 杨培芳; 张临超; 谢卓明; 王坤; 刘瑞; 王先平; 吴学邦; 方前锋
著作权人	中国科学院合肥物质科学研究院 ; 中国核动力研究设计院
专利号	CN202011250640.X
国家	中国
文献子类	发明专利
申请日期	2020-11-11
语种	中文
状态	申请中
内容类型	专利
源URL	[http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/125942]
专题	合肥物质科学研究院_中科院固体物理研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	杨俊峰,杨红艳,杨培芳,等. 一种新型WCrSiN梯度涂层及其制备方法. CN202011250640.X.

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