Growth mechanism of metal-free vertically aligned CNT arrays on SiC surfaces

	Growth mechanism of metal-free vertically aligned CNT arrays on SiC surfaces
	Wang Z(王珍) ; Fu Q(傅强) ; Xu XJ(许学俊) ; Zhang HB(张洪波) ; Li WL(李文亮) ; Gao M(高敏) ; Tan DL(谭大力) ; Bao XH(包信和)
	2010-11-07
会议名称	4th international symposium on carbon for catalysis
会议日期	2010-11-7
会议地点	大连
页码	113
通讯作者	傅强 ; 包信和
中文摘要	growth mechanism of metal-free vertically aligned cnt arrays on sic surfaces
合作状况	墙报
会议主办者	大连化物所
会议录	4th international symposium on carbon for catalysis
会议录出版者	待补充
会议录出版地	待补充
学科主题	物理化学
内容类型	会议论文
源URL	[http://159.226.238.44/handle/321008/117505]
专题	大连化学物理研究所_中国科学院大连化学物理研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	Wang Z,Fu Q,Xu XJ,et al. Growth mechanism of metal-free vertically aligned CNT arrays on SiC surfaces[C]. 见:4th international symposium on carbon for catalysis. 大连. 2010-11-7.