| 一种制备钯膜及其复合膜的方法; 一种制备钯膜及其复合膜的方法 | |
| 杨维慎 ; 朱琳琳 ; 鲁辉 ; 王卫平 | |
| 专利国别 | 待填写 |
| 专利号 | CN201210218909.5 |
| 权利人 | 中国科学院大连化学物理研究所 |
| 是否PCT专利 | 实审 |
| 学科主题 | 张晨 |
| 公开日期 | 2012-06-28 |
| 语种 | 2012-10-3 |
| 资助信息 | 一种制备钯膜及其复合膜的方法，先采用真空溶胶凝胶技术修饰多孔底膜表面，然后通过优化的敏化活化法在底膜表面引入钯晶种，最后用化学镀法在修饰后的多孔底膜表面进行镀膜。本发明通过真空溶胶凝胶修饰法对多孔底膜表面进行修饰，不仅改善底膜表面的孔径大小及分布，而且增加了修饰后底膜的修饰层与底膜之间的锚合力，提高了多孔底膜的热稳定性。通过优化的敏化活化法在多孔底膜上均匀的植入足量的钯晶种，该法优化实验步骤，不仅缩短反应时间，而且降低成本更易于实现。 |
| 专利证书号 | CN201210218909.5 |
| 专利申请号 | CN |
| 专利代理 | 中国科学院大连化学物理研究所 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://159.226.238.44/handle/321008/119027]  |
| 专题 | 大连化学物理研究所_中国科学院大连化学物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨维慎,朱琳琳,鲁辉,等. 一种制备钯膜及其复合膜的方法, 一种制备钯膜及其复合膜的方法. CN201210218909.5. |
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