NixCo3-xO4表面修饰对CdSe/TiO2纳米管阵列光电化学氧化水活性的影响

	NixCo3-xO4表面修饰对CdSe/TiO2纳米管阵列光电化学氧化水活性的影响
	Xu Zhen; Li Juan; Li Xinjun
刊名	无机化学学报
	2013
卷号	29.0 期号:003 页码:429
关键词	TiO2纳米管阵列 CdSe NixCO3-xO4 氨挥发诱导生长光电水氧化
ISSN号	1001-4861
英文摘要	利用氨挥发诱导法在CdSe/TiO2纳米管阵列表面负载一层NixCo3-xO4。采用SEM、XRD、XPS、UV-Vis对样品进行表征,通过线性扫描伏安法测定光阳极的释氧电势来评价其光电水氧化活性。结果表明：表面NixCo3-xO4是尖晶石结构;相对于CdSe/TiO2纳米管阵列光阳极,NixCo3-xO4/CdSe/TiO2光阳极能将光电氧化水的过电势降低430 mV。Ni离子的引入使得NixCo3-xO4表面富含三价阳离子（Ni3＋,Co3＋）,从而促进CdSe/TiO2光阳极光电水氧化的进行。
语种	英语
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.giec.ac.cn/handle/344007/33935]
专题	中国科学院广州能源研究所
作者单位	中国科学院广州能源研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	Xu Zhen,Li Juan,Li Xinjun. NixCo3-xO4表面修饰对CdSe/TiO2纳米管阵列光电化学氧化水活性的影响[J]. 无机化学学报,2013,29.0(003):429.
APA	Xu Zhen,Li Juan,&Li Xinjun.(2013).NixCo3-xO4表面修饰对CdSe/TiO2纳米管阵列光电化学氧化水活性的影响.无机化学学报,29.0(003),429.
MLA	Xu Zhen,et al."NixCo3-xO4表面修饰对CdSe/TiO2纳米管阵列光电化学氧化水活性的影响".无机化学学报 29.0.003(2013):429.