本实用新型提出一种PbS量子点Si‑APD红外探测器，所述探测器包括本征Si基底(1)、反射区(4)、N+掺杂区(3)、P掺杂区(2)、P+掺杂区(6)、PbS量子点层(7)、上电极(5)和下电极(8)，反射区(4)位于本征Si基底(1)正上方、N+掺杂区(3)位于反射区(4)下方、P掺杂区(2)位于N+掺杂区(3)下方、P+掺杂区(6)位于本征Si基底(1)下方、PbS量子点层(7)位于P+掺杂区(6)下方、上电极(5)位于反射区(4)上表面，以及下电极(8)位于PbS量子点层(7)下表面。本实用新型以PbS量子点层作为吸收层，采用纯电子注入的方式，使得本实用新型能够吸收近红外波段光波，具有光谱响应宽，响应度高，过噪声小，成本低，易于加工等优点。