| 题名 | 射频等离子体球化二氧化硅粉体的研究 |
| 作者 | 闫世凯 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2006-05-22 |
| 授予单位 | 中国科学院过程工程研究所 |
| 授予地点 | 过程工程研究所 |
| 导师 | 袁方利 |
| 关键词 | 射频等离子体 球化 二氧化硅 粉体 |
| 学位专业 | 化学工程 |
| 中文摘要 | 球形二氧化硅粉体与角形粉体相比具有流动性好、堆积密度大、均匀性好等优点，在各领域的生产中发挥着越来越重要的作用。RF（射频）热等离子体作为一种球化难熔粉体的有效手段具有温度高、传热速率快、球化工艺简单且无污染等特点，成为制备球形二氧化硅粉体的理想方法。粒径小于20 μm球形二氧化硅粉体的应用日益广泛，但是对于等离子体球化粒径小于20 μm的角形粉体的研究却较少。本论文用RF（射频）热等离子体球化了粒径为1-10 μm的角形二氧化硅粉体，研究了等离子体实验参数和原料粉体的性质对球化结果的影响规律，制备了颗粒球形度好、粉体球化率高的二氧化硅粉体。首先，研究了不同粒径颗粒在等离子体球化过程中颗粒之间的碰撞规律，发现随着粉体粒径的减小颗粒之间的碰撞频率迅速增大，表明对于颗粒直径小于10 μm（特别是小于3 μm）的粉体颗粒在等离子体弧中的碰撞行为与大粒径粉体颗粒（d>20 μm）有明显区别。实验用RF等离子体球化了平均粒径为3.9 μm的二氧化硅粉体，结果表明球化后粉体粒径分布变宽，部分颗粒长大，形成直径大于10 μm的颗粒，产品的粒径分布呈对数正态分布。其次，计算了不同等离子体温度和不同直径的二氧化硅颗粒在等离子体弧中的熔化时间，研究了等离子体温度和原料粒径对颗粒熔化时间的影响规律。根据计算结果，并结合等离子体球化粉体的特点，建立了等离子体操作参数对球化后产品球化率影响的理论模型。根据模型，等离子体球化后粉体的球化率与加料速率成指数减小规律，实验结果与拟合曲线符合较好。同时讨论了载气流量、冷却条件和原料粒径等参数对球化后产品球化率的影响。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-09-13 |
| 页码 | 74 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://ir.ipe.ac.cn/handle/122111/1059]  |
| 专题 | 过程工程研究所_研究所（批量导入） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 闫世凯. 射频等离子体球化二氧化硅粉体的研究[D]. 过程工程研究所. 中国科学院过程工程研究所. 2006. |
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