CMOS图像传感器辐射损伤导致星敏感器性能退化机理
冯婕; 李豫东; 文林; 郭旗
刊名红外与激光工程
2020
卷号49期号:5页码:101-107
关键词星敏感器 CMOS图像传感器 辐射损伤 性能退化
ISSN号1007-2276
英文摘要

为了分析恶劣空间辐射环境导致星敏感器性能退化、姿态测量精度降低的原因,深入研究了辐射环境下互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor, CMOS)图像传感器辐射损伤对星敏感器性能退化的影响。该方法通过建立空间辐射和CMOS图像传感器辐射损伤敏感参数、星敏感器性能参数之间的相关性,揭示了CMOS图像传感器器件参数退化到星敏感器系统参数退化的传递机制。60Co-γ辐照试验表明:辐照后,系统信噪比的降低导致星敏感器星等探测灵敏度的降低,信噪比是联系CMOS图像传感器和星敏感器系统之间的桥梁。质子辐照试验表明:当辐照注量大于3.68×1010 p/cm2时,已无法正确提取星点质心。该研究结果为星敏感器在轨姿态测量误差预测和修正技术的研究奠定了一定的基础,更可以为高精度星敏感器的设计提供一定的理论依据。

CSCD记录号CSCD:6732616
内容类型期刊论文
源URL[http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/7351]  
专题固体辐射物理研究室
作者单位中国科学院新疆理化技术研究所固体辐射物理研究室
推荐引用方式
GB/T 7714
冯婕,李豫东,文林,等. CMOS图像传感器辐射损伤导致星敏感器性能退化机理[J]. 红外与激光工程,2020,49(5):101-107.
APA 冯婕,李豫东,文林,&郭旗.(2020).CMOS图像传感器辐射损伤导致星敏感器性能退化机理.红外与激光工程,49(5),101-107.
MLA 冯婕,et al."CMOS图像传感器辐射损伤导致星敏感器性能退化机理".红外与激光工程 49.5(2020):101-107.
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