| 一种镧离子掺杂的深低温热敏电阻材料及制备方法 | |
| 张惠敏; 常爱民; 范庆梅; 孙家林; 王强; 刘思学; 代树武 | |
| 2020-01-17 | |
| 著作权人 | 中国科学院新疆理化技术研究所 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种镧离子掺杂的深低温热敏电阻材料及制备方法，该电阻材料以锰、镍、铁、镧的氧化物为原料，采用固相法进行制备，将混合后的粉体经过煅烧、研磨、烧结制得。与市面上现有的NTC热敏电阻相比，该电阻材料可以在15 K条件下工作。其电性能参数为：R70K=160 KΩ∙cm，R90K=680 KΩ∙cm。测温区间在15 K‑280 K之间，解决了低温热敏电阻测温范围较窄，应用范围不够广泛的问题。由该材料制得的热敏电阻期间可以应用于航空航天等深低温领域。 |
| 申请日期 | 2019-11-15 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/7573]  |
| 专题 | 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张惠敏,常爱民,范庆梅,等. 一种镧离子掺杂的深低温热敏电阻材料及制备方法. 2020-01-17. |
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