1 MeV电子辐照下晶格匹配与晶格失配GaInP/GaInAs/Ge三结太阳电池辐射效应研究

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	1 MeV电子辐照下晶格匹配与晶格失配GaInP/GaInAs/Ge三结太阳电池辐射效应研究
	李占行; 艾尔肯·阿不都瓦衣提; 玛丽娅·黑尼; 方亮; 高伟; 高慧; 孟宪松; 郭旗
刊名	发光学报
	2017
卷号	38 期号:4 页码:463-469
关键词	辐射效应辐照退化晶格匹配晶格失配三结太阳电池
ISSN号	1000-7032
英文摘要	对采用MOCVD方法制备的晶格匹配(LM)与晶格失配(UMM)GaInP/GaInAs/Ge三结太阳电池进行了1MeV电子辐射效应研究。结果表明:在电子辐照下,两种电池的I-V特性参数(开路电压Voc,短路电流Isc,最大输出功率Pmax)均发生衰降,且晶格失配电池的I-V特性参数衰降均大于晶格匹配电池。在光谱响应方面,对于顶电池,晶格匹配电池的衰降大于晶格失配电池;而中间电池则前者衰降小于后者;另外,Ge底电池的光谱响应表现特殊,辐照后光谱响应变强。
CSCD记录号	CSCD:5952170
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/4753]
专题	新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室
作者单位	中国科学院新疆理化技术研究所；中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室；新疆电子信息材料与器件重点实验室；中国科学院大学；中国电子科技集团公司第十八研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	李占行,艾尔肯·阿不都瓦衣提,玛丽娅·黑尼,等. 1 MeV电子辐照下晶格匹配与晶格失配GaInP/GaInAs/Ge三结太阳电池辐射效应研究[J]. 发光学报,2017,38(4):463-469.
APA	李占行.,艾尔肯·阿不都瓦衣提.,玛丽娅·黑尼.,方亮.,高伟.,...&郭旗.(2017).1 MeV电子辐照下晶格匹配与晶格失配GaInP/GaInAs/Ge三结太阳电池辐射效应研究.发光学报,38(4),463-469.
MLA	李占行,et al."1 MeV电子辐照下晶格匹配与晶格失配GaInP/GaInAs/Ge三结太阳电池辐射效应研究".发光学报 38.4(2017):463-469.