随着热敏电阻在各应用领域的不断扩展，对温度传感器精度也有着更为严格的要求，因此，开发出更高性能的温度敏感材料也成为了一项重要的任务；同时，随着信息技术的快速发展，电子元器件的微型化、集成化及多功能化成为其发展的主流，膜状化（厚膜和薄膜）成为了解决这些问题的一个关键技术。随着对宽温区热敏电阻的研究，钙钛矿结构的材料得到了愈发的关注。而锰酸镧基作为钙钛矿系中的一类，具有良好的负温度系数特性，因此我们在此基础上对其进行了系列研究。而对热敏电阻的导电机理，由于其内部结构的复杂性，也是目前其理论研究中的难点和重点。首先，我们通过丝网印刷技术，在Al2O3衬底上制备了厚膜样品。通过XRD和SEM观察，研究了材料组分与其结构及表面形貌的影响。而电性能的研究，发现其厚膜具有良好的线性NTC特性，并且其电阻率会因Al的掺杂带来很大的变化。在所有组分中，x=0.4掺杂含量的厚膜热敏电阻最佳，适合宽温区热敏电阻的应用，并且随后对x=0.4厚膜样品，采用复阻抗谱分析，进行了更深一步的研究。其次，通过溶胶凝胶法在(1 0 0)-LaNiO3上制备得到了（ 1 0 0 ） 高度取向的LaMn0.6Al0.4O3薄膜。通过材料的复阻抗谱测试，对比研究了自由取向与高度取向薄膜的电学特性。研究表明，高度取向的晶粒分布有助于降低材料的电阻率及激活能，而晶界特性不受其取向影响。在对阻抗与频率的曲线研究发现弛豫是与热激活相关。两种薄膜的内部晶粒、晶界激活能在0.2005-0.2373 eV范围内，且两者电导遵循阿累尼乌斯特性，而后也进一步的讨论了其相关其导电机制。对NTC膜状（厚膜和薄膜）材料制备工艺的研究及内部导电机理的分析，能够为厚膜和薄膜工业应用的提供有意义的指导。