氧、氩分压对直流反应溅射制备ZAO薄膜的性能影响

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	氧、氩分压对直流反应溅射制备ZAO薄膜的性能影响
	陆峰 ; 徐成海 ; 闻立时 ; 吴玉厚
	2010-05
会议名称	第九届全国光电技术学术交流会
会议日期	2010-05
会议地点	北京
关键词	ZAO薄膜直流反应溅射氧分压氩分压
中文摘要	采用直流反应磁控溅射技术，制备获得ZAO薄膜，研究氧分压、氩分压关键制备工艺参数对ZAO薄膜的组织结构、光、电性能的影响，并获得了最佳的氧、氩分压制备参数，利用该参数制备ZAO薄膜，能够获得在可见光范围内的平均透射率>85％，最低电阻率为4.5×10-4Ωcm的ZAO薄膜，其光电性能均满足应用需求.
会议主办者	中国宇航学会;中国航空学会;中国兵工学会;中国光学学会;中国电子学会
会议录	第九届全国光电技术学术交流会论文集
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://210.72.142.130/handle/321006/70995]
专题	金属研究所_中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	陆峰,徐成海,闻立时,等. 氧、氩分压对直流反应溅射制备ZAO薄膜的性能影响[C]. 见:第九届全国光电技术学术交流会. 北京. 2010-05.