Si含量对反应烧结SiC陶瓷热电性能的影响

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	Si含量对反应烧结SiC陶瓷热电性能的影响
	魏薇 ; 曹小明 ; 张劲松
	2007-11-15
会议名称	第六届中国功能材料及其应用学术会议
会议日期	2007-11-15
会议地点	武汉
关键词	反应烧结 SiC陶瓷塞贝克系数热电优值
中文摘要	采用可控溶渗反应烧结法制备了致密SiC陶瓷,研究了不同Si含量对反应烧结SiC陶瓷热电性能的影响。经研究发现,反应烧结SiC陶瓷中Si的存在使SiC陶瓷的电阻率急剧下降,大大改善了SiC陶瓷的电学性能；同时Si也改变了SiC陶瓷塞贝克系数随温度的变化趋势,即没有添加Si元素的SiC陶瓷的塞贝克系数随温度的升高逐渐增大,而添加Si元素的SiC陶瓷的塞贝克系数随温度的升高逐渐减小；总的来看,随着Si含量的增加,SiC陶瓷的塞贝克系数和电导率不断增大,因此SiC陶瓷的功率因子不断提高,而且随着温度的升高,Si含量对SiC陶瓷热电优值的影响越来越明显。当含量为15％时,材料的热电优值是SiC烧结体的30倍.
会议主办者	中国仪器仪表学会;中国物理学会;中国光学学会
会议录	第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://210.72.142.130/handle/321006/70572]
专题	金属研究所_中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	魏薇,曹小明,张劲松. Si含量对反应烧结SiC陶瓷热电性能的影响[C]. 见:第六届中国功能材料及其应用学术会议. 武汉. 2007-11-15.