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直流反应磁控溅射相关工艺条件对TiO2薄膜表面形貌的影响
王贺权 ; 巴德纯 ; 沈辉 ; 闻立时
2007-06-16
会议名称第八届真空冶金与表面工程学术会议
会议日期2007-06-16
会议地点沈阳
关键词直流反应磁控溅射 二氧化钛染料敏化太阳电池 表面形貌 二氧化钛薄膜
中文摘要应用DC(直流)反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2薄膜,为将来应用磁控溅射方法制备TiO2染料敏化太阳电池总结数据.通过扫描电子显微镜发现当总压强为2×10-1Pa、O2流量为15sccm、靶基距为190mm、温度为120℃的条件下,制备的TiO2薄膜的表面形貌呈现为疏松多孔的特性.因此是最有可能制备TiO2染料敏化太阳电池的工艺条件.
会议主办者中国真空学会
会议录真空冶金与表面工程--第八届真空冶金与表面工程学术会议论文集
语种中文
内容类型会议论文
源URL[http://210.72.142.130/handle/321006/70532]  
专题金属研究所_中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
王贺权,巴德纯,沈辉,等. 直流反应磁控溅射相关工艺条件对TiO2薄膜表面形貌的影响[C]. 见:第八届真空冶金与表面工程学术会议. 沈阳. 2007-06-16.
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