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关于透明导电ITO薄膜的电学极值问题的研究
陈猛 ; 王曦 ; 孙超 ; 黄荣芳 ; 闻立时
2000-03-01
会议名称上海市真空学会第七届学术年会
会议日期2000-03-01
会议地点上海
关键词电离杂质散射 ITO薄膜 电学极值
中文摘要  基于有效质量的载流子浓度修正计算了电离杂质散射对ITO薄膜电学极限的贡献.研究表明,修正后的电离杂质散射机制界定了ITO薄膜载流子迁移率的上限和电阻率的下限.
会议主办者中国真空学会;上海市真空学会
会议录上海市真空学会第七届学术年会论文集
语种中文
内容类型会议论文
源URL[http://210.72.142.130/handle/321006/70342]  
专题金属研究所_中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
陈猛,王曦,孙超,等. 关于透明导电ITO薄膜的电学极值问题的研究[C]. 见:上海市真空学会第七届学术年会. 上海. 2000-03-01.
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