关于透明导电ITO薄膜的电学极值问题的研究 | |
陈猛 ; 王曦 ; 孙超 ; 黄荣芳 ; 闻立时 | |
2000-03-01 | |
会议名称 | 上海市真空学会第七届学术年会 |
会议日期 | 2000-03-01 |
会议地点 | 上海 |
关键词 | 电离杂质散射 ITO薄膜 电学极值 |
中文摘要 | 基于有效质量的载流子浓度修正计算了电离杂质散射对ITO薄膜电学极限的贡献.研究表明,修正后的电离杂质散射机制界定了ITO薄膜载流子迁移率的上限和电阻率的下限. |
会议主办者 | 中国真空学会;上海市真空学会 |
会议录 | 上海市真空学会第七届学术年会论文集
![]() |
语种 | 中文 |
内容类型 | 会议论文 |
源URL | [http://210.72.142.130/handle/321006/70342] ![]() |
专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈猛,王曦,孙超,等. 关于透明导电ITO薄膜的电学极值问题的研究[C]. 见:上海市真空学会第七届学术年会. 上海. 2000-03-01. |
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