Electrical switching of quantum tunneling through p-n junction in a quantum spin Hall bar | |
Cheng, Fang ; Lin, L. Z. ; Zhang, L. B. ; Zhou, Guanghui | |
刊名 | journal of applied physics |
2013 | |
卷号 | 113期号:5页码:053708 |
学科主题 | 半导体物理 |
收录类别 | SCI |
语种 | 英语 |
公开日期 | 2013-09-22 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24378] |
专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Cheng, Fang,Lin, L. Z.,Zhang, L. B.,et al. Electrical switching of quantum tunneling through p-n junction in a quantum spin Hall bar[J]. journal of applied physics,2013,113(5):053708. |
APA | Cheng, Fang,Lin, L. Z.,Zhang, L. B.,&Zhou, Guanghui.(2013).Electrical switching of quantum tunneling through p-n junction in a quantum spin Hall bar.journal of applied physics,113(5),053708. |
MLA | Cheng, Fang,et al."Electrical switching of quantum tunneling through p-n junction in a quantum spin Hall bar".journal of applied physics 113.5(2013):053708. |
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