用纳米非晶Si／N／C粉原位合成Si3N4晶须

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	用纳米非晶Si／N／C粉原位合成Si3N4晶须
	李亚利; 梁勇; 高阳; 肖克沈; 郑丰; 王亚庆; 胡壮麒
刊名	材料研究学报
	1995
卷号	9.0 期号:002 页码:149-152
关键词	晶须纳米级非晶粉原位合成硅氮碳氮化硅
ISSN号	1005-3093
英文摘要	采用激光诱导有机硅烷气合成的纳米非晶Ｓｉ／Ｎ／Ｃ粉为原料，在１６００℃，１０１．３ｋＰａＮ２气下，在石墨感应炉中原位制备出α－Ｓｉ３Ｎ４晶须，其直径为０．１－０．５μｍ，长可达几毫米，纯度较高，无过剩碳及金属杂质。
语种	中文
CSCD记录号	CSCD:263525
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/146574]
专题	金属研究所_中国科学院金属研究所
作者单位	中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	李亚利,梁勇,高阳,等. 用纳米非晶Si／N／C粉原位合成Si3N4晶须[J]. 材料研究学报,1995,9.0(002):149-152.
APA	李亚利.,梁勇.,高阳.,肖克沈.,郑丰.,...&胡壮麒.(1995).用纳米非晶Si／N／C粉原位合成Si3N4晶须.材料研究学报,9.0(002),149-152.
MLA	李亚利,et al."用纳米非晶Si／N／C粉原位合成Si3N4晶须".材料研究学报 9.0.002(1995):149-152.