Dipping induced in-plane molecular alignment of LB films

CORC > 海洋研究所 > 中国科学院海洋研究所

	Dipping induced in-plane molecular alignment of LB films
	Xu YS(徐永生)
	1997
会议日期	OCT 28-30, 1996
会议地点	IBARAKI, JAPAN
关键词	LANGMUIR-BLODGETT-FILMS
卷号	294
期号	1
DOI	https://doi.org/10.1080/10587259708032239
页码	23-26
英文摘要	Super-quadratic growth of SHG intensity with thickness could be realized due to the extra dipping-induced and epitaxy-enhanced in-plane polarization in the hemicyanine LB multilayers.
会议录	Mol. Cryst. Liq. Cryst.
学科主题	Crystallography
WOS研究方向	Crystallography
WOS记录号	WOS:A1997XK48000007
内容类型	会议论文
版本	出版稿
源URL	[http://ir.qdio.ac.cn/handle/337002/170209]
专题	中国科学院海洋研究所
作者单位	中国科学院海洋研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	Xu YS. Dipping induced in-plane molecular alignment of LB films[C]. 见:. IBARAKI, JAPAN. OCT 28-30, 1996.