C、N、F掺杂对VO_2电子结构影响的研究

	C、N、F掺杂对VO_2电子结构影响的研究
	万金玉 ; 刘怡飞 ; 李雪娇
刊名	人工晶体学报
	2020
卷号	49 期号:02 页码:239-245+258
关键词	第一性原理二氧化钒态密度
文献子类	期刊论文
英文摘要	二氧化钒(VO_2)是一种热至变色材料,在临界温度340 K有金属-半导体相变。第一性原理计算结果发现:C、N、F元素以1.56%、3.13%、4.69%的原子浓度掺杂M1相VO_2的带隙E_(g1)降低到0.349～0.612 eV,其中氮元素以4.69%的浓度掺杂VO_2的带隙E_(g1)最小(0.349 eV)。在C、N、F掺杂M1相VO_2体系中,3.13%的N掺杂可以有效降低相变温度,并且对可见光透过率影响不大,所以3.13%的N原子掺杂VO_2可以在实际中应用。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/32534]
专题	上海应用物理研究所_中科院上海应用物理研究所2011-2017年
作者单位	1.泉州医学高等专科学校; 2.中国科学院上海应用物理研究所 3.福建医科大学附属第二医院;
推荐引用方式 GB/T 7714	万金玉,刘怡飞,李雪娇. C、N、F掺杂对VO_2电子结构影响的研究[J]. 人工晶体学报,2020,49(02):239-245+258.
APA	万金玉,刘怡飞,&李雪娇.(2020).C、N、F掺杂对VO_2电子结构影响的研究.人工晶体学报,49(02),239-245+258.
MLA	万金玉,et al."C、N、F掺杂对VO_2电子结构影响的研究".人工晶体学报 49.02(2020):239-245+258.