| 高能电子注入式半导体激光器 | |
| 蔡元学; 姜春香 | |
| 2015-11-25 | |
| 著作权人 | 天津博霆科技有限公司 |
| 专利号 | CN105098592A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 高能电子注入式半导体激光器 |
| 英文摘要 | 本发明属于仪器设备技术领域，尤其涉及一种高能电子注入式半导体激光器，所述套管内设有谐振腔、回气腔、放电腔，所述回气腔内部设有储气套管，所述储气套管上设有贮气瓶、镇气瓶、气压监测器，所述贮气瓶、镇气瓶之间设有电磁真空充气阀，所述镇气瓶、气压检测器之间设有波纹管，所述气压检测器部分位于所述回气腔内，部分穿过回气腔位于所述回气腔外面，所述导体阳极由外及内依次为上电极、上光限制层、上波导层、下波导层、下光限制层、背电极层，所述上波导层、下波导层之间设有有源层，所述下光限制层、背电极层之间设有衬底，所述上光限制层的截面形状为脊波导。 |
| 公开日期 | 2015-11-25 |
| 申请日期 | 2014-05-19 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/93138]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 天津博霆科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 蔡元学,姜春香. 高能电子注入式半导体激光器. CN105098592A. 2015-11-25. |
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