| Ⅲ/Ⅴ半导体 | |
| B・库纳特; J・科克; S・赖恩哈德; K・沃茨; W・斯托尔茨 | |
| 2008-09-17 | |
| 著作权人 | 马尔堡菲利普斯大学 |
| 专利号 | CN101268592A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | Ⅲ/Ⅴ半导体 |
| 英文摘要 | 本发明涉及包含基于掺杂Si或掺杂GaP的载体层和安排在所述载体层上并含有成分Gaxlny－NaAsbPcSbd的III/V半导体的单片集成半导体结构，其中x＝70－100摩尔％，y＝0－30摩尔％，a＝0.5－15摩尔％，b＝67.5－99.5摩尔％，c＝0－32.0摩尔％，以及d＝0－15摩尔％。根据本发明，x和y总是合计为100摩尔％，且a、b、c和d总是合计为100摩尔％。x和y的总和与a、b、c和d的总和之比基本上等于1∶1。本发明还涉及用于产生所述半导体结构的方法，并涉及用其来产生被单片集成到基于Si或GaP技术的集成电路中的发光二极管和激光二极管，或调制器和检测器结构。 |
| 公开日期 | 2008-09-17 |
| 申请日期 | 2006-01-26 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/93056]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 马尔堡菲利普斯大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | B・库纳特,J・科克,S・赖恩哈德,等. Ⅲ/Ⅴ半导体. CN101268592A. 2008-09-17. |
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