| 一种高功率半导体激光器及其制备方法 | |
| 刘兴胜; 卢栋; 王警卫; 杨艳 | |
| 2016-07-20 | |
| 著作权人 | 西安炬光科技股份有限公司 |
| 专利号 | CN105790071A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种高功率半导体激光器及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明提出一种新型高功率半导体激光器及其制备方法，可以有效解决现有结构方案中激光器合格率低、工艺复杂、键合质量差以及可靠性不高等问题，促进传导冷却型高功率半导体激光器向更高功率发展。该高功率半导体激光器，包括散热器和由若干个激光器芯片及其衬底构成的芯片组模块，衬底的底部通过焊料键合到散热器上，所述衬底的主体为绝缘导热块；对应于衬底上激光器芯片的键合区域，所述绝缘导热块的正面和背面均设置有导电导热层，正面的导电导热层与背面的导电导热层之间经由绝缘导热块的表面和/或内部贯通设置的导电材料形成电连接。 |
| 公开日期 | 2016-07-20 |
| 申请日期 | 2016-03-22 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/93004]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 西安炬光科技股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘兴胜,卢栋,王警卫,等. 一种高功率半导体激光器及其制备方法. CN105790071A. 2016-07-20. |
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