使用与半导体施主分离的层来制造光电装置的方法和由该方法制成的装置 | |
阿杰库玛·R·贾殷 | |
2013-08-21 | |
著作权人 | 维尔雷思科技有限公司 |
专利号 | CN103262210A |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 使用与半导体施主分离的层来制造光电装置的方法和由该方法制成的装置 |
英文摘要 | 制造含有功能元件的光电装置的方法,所述功能元件是由从天然和/或制得的层状半导体施主脱离的层制成的。在一个实施例中,提供施主,使一层与施主分离且将该层作为其功能元件并入光电装置中。根据需要调整分离层的厚度,以使其适合所述功能元件的功能性。可以使用分离层制成的功能元件的实例包括p-n结、肖特基结、PIN结、约束层及其他。可以供所述分离层并入的光电装置的实例包括LED、激光二极管、MOSFET晶体管、MISFET晶体管及其他。 |
公开日期 | 2013-08-21 |
申请日期 | 2011-03-21 |
状态 | 失效 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92616] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 维尔雷思科技有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 阿杰库玛·R·贾殷. 使用与半导体施主分离的层来制造光电装置的方法和由该方法制成的装置. CN103262210A. 2013-08-21. |
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