| 一种III-V族硅基低折射率缝隙结构DBR激光器及集成方法 | |
| 黄卫平; 曲莫; 李俣; 冯佩 | |
| 2019-09-24 | |
| 著作权人 | 山东大学 |
| 专利号 | CN110277731A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种III-V族硅基低折射率缝隙结构DBR激光器及集成方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种III‑V族硅基低折射率缝隙结构DBR激光器及集成方法，属于激光器技术领域，激光发光装置从上而下包括有源层、硅层、二氧化硅衬底，有源层包括矩形端和梯形端，梯形端的长边与矩形端相连，矩形端和梯形端一体制造；硅层为矩形条，硅层一端设有开口通槽，开口通槽的底部设有凸脊，凸脊的水平投影为梯形，凸脊的长边与开口通槽的底部连接。光正向传输时从有源层耦合至硅层，引入低折射率双斜劈结构，配合有源层尾部为近锥形的梯形结构，实现有源层和硅层的相互耦合，整个耦合区长度小于5μm，最小可达到3μm，理论耦合效率大于99％，尺寸远小于同类激光器结构，可实现器件小型化。 |
| 公开日期 | 2019-09-24 |
| 申请日期 | 2018-03-15 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92473]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 山东大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黄卫平,曲莫,李俣,等. 一种III-V族硅基低折射率缝隙结构DBR激光器及集成方法. CN110277731A. 2019-09-24. |
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