| 一种半导体器件及制备方法 | |
| 王俊; 周立; 谭少阳; 赵智德; 肖啸; 吴涛 | |
| 2019-06-21 | |
| 著作权人 | 苏州长光华芯光电技术有限公司 |
| 专利号 | CN109921283A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种半导体器件及制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种半导体器件及制备方法，包括：衬底；若干发光单元，设置于衬底上，若干发光单元间隔设置，发光单元内发光点的宽度与发光单元的周期比值在80％～95％范围内。通过实施本发明，可以有效降低芯片串联电阻，进而使得该半导体器件在大工作电流条件下，可以提高半导体器件的电光转换效率，并且实现在相同功率输出时有利于减小该半导体器件的光谱半高宽及半导体器件材料的损伤。 |
| 公开日期 | 2019-06-21 |
| 申请日期 | 2019-02-01 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92417]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 苏州长光华芯光电技术有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王俊,周立,谭少阳,等. 一种半导体器件及制备方法. CN109921283A. 2019-06-21. |
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