一种高欧姆接触特性的p型GaN外延片及其制备方法 | |
杨静; 赵德刚; 朱建军; 陈平; 刘宗顺; 梁锋 | |
2019-06-07 | |
著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
专利号 | CN109860044A |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 一种高欧姆接触特性的p型GaN外延片及其制备方法 |
英文摘要 | 一种高欧姆接触特性的p型GaN外延片及其制备方法,制备方法包括:步骤1:制备衬底(10);步骤2:在衬底(10)上外延生长掺镁的GaN层;步骤3:对掺镁的GaN层进行退火,激活掺镁的GaN层中的镁受主,使得掺镁的GaN层转变为p型GaN层(11);步骤4:在p型GaN层(11)上外延生长p++型GaN盖层(12)。通过在p型GaN层上再生长重掺杂的p++型GaN盖层,且重掺杂的p++型GaN盖层不进行高温退火,从而改善外延片欧姆接触层质量,降低p型材料与金属接触的比接触电阻率。 |
公开日期 | 2019-06-07 |
申请日期 | 2019-01-31 |
状态 | 申请中 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92406] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨静,赵德刚,朱建军,等. 一种高欧姆接触特性的p型GaN外延片及其制备方法. CN109860044A. 2019-06-07. |
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