| 一种垂直结构电注入金字塔微腔激光器及其制备方法 | |
| 汪炼成; 万荣桥; 林蕴 | |
| 2019-04-30 | |
| 著作权人 | 中南大学 |
| 专利号 | CN109698464A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种垂直结构电注入金字塔微腔激光器及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种垂直结构电注入金字塔微腔激光器及其制备方法，属于半导体技术领域，本发明采用Ⅲ族氮化物作为增益介质，棱台形的金字塔微腔作为谐振腔，垂直结构的衬底作为底电极，在金字塔顶部制作顶电极，其可根据Ⅲ族氮化物中Ⅲ族元素(In，Ga，Al)可调的特点，覆盖从红外(InN)到深紫外(AlN)的波段，金字塔台微腔采用湿法刻蚀氮极性面得到，工艺简单，能提高晶体质量，利用金字塔侧壁和底面的金属反射镜层的光限制效应从而实现激射。本发明利用氮极性面的湿法蚀刻对垂直结构外延进行蚀刻，得到分立的金字塔台型微腔，采用电子束曝光、金属蒸镀等工艺在金字塔台顶部制作顶电极，在正向偏压下注入电流，实现电注入和金字塔台微腔定向光输出。 |
| 公开日期 | 2019-04-30 |
| 申请日期 | 2018-12-26 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92384]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中南大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 汪炼成,万荣桥,林蕴. 一种垂直结构电注入金字塔微腔激光器及其制备方法. CN109698464A. 2019-04-30. |
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