一种激光外延结构及制作方法 | |
田宇; 韩效亚; 吴真龙; 杜石磊 | |
2019-03-29 | |
著作权人 | 扬州乾照光电有限公司 |
专利号 | CN109546530A |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 一种激光外延结构及制作方法 |
英文摘要 | 本申请提供了一种激光外延结构及制作方法,该激光外延结构中由于Al0.98Ga0.02As层与其相连的DBR反射镜层有较高的Al组分,在氧化过程中,存在一定程度的氧化,因此通过第一GaAs层和第二GaAs层使其无法被氧化,同时使界面更加清晰,氧化更均匀,降低了由于氧化不均匀对应力的影响,进而提高外延结构的特性。并且,通过加入第一AlyGa1‑yAs层和第二AlyGa1‑yAs层,0.6<y<0.98,不包括端点值,使其在三叉型氧化,在氧化的过程中形成三个倒角,更有利于减缓氧化速率,进而降低对其他DBR反射镜层的氧化。 |
公开日期 | 2019-03-29 |
申请日期 | 2018-11-21 |
状态 | 申请中 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92362] |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 扬州乾照光电有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 田宇,韩效亚,吴真龙,等. 一种激光外延结构及制作方法. CN109546530A. 2019-03-29. |
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