一种激光外延结构及制作方法
田宇; 韩效亚; 吴真龙; 杜石磊
2019-03-29
著作权人扬州乾照光电有限公司
专利号CN109546530A
国家中国
文献子类发明申请
其他题名一种激光外延结构及制作方法
英文摘要本申请提供了一种激光外延结构及制作方法,该激光外延结构中由于Al0.98Ga0.02As层与其相连的DBR反射镜层有较高的Al组分,在氧化过程中,存在一定程度的氧化,因此通过第一GaAs层和第二GaAs层使其无法被氧化,同时使界面更加清晰,氧化更均匀,降低了由于氧化不均匀对应力的影响,进而提高外延结构的特性。并且,通过加入第一AlyGa1‑yAs层和第二AlyGa1‑yAs层,0.6<y<0.98,不包括端点值,使其在三叉型氧化,在氧化的过程中形成三个倒角,更有利于减缓氧化速率,进而降低对其他DBR反射镜层的氧化。
公开日期2019-03-29
申请日期2018-11-21
状态申请中
内容类型专利
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92362]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位扬州乾照光电有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
田宇,韩效亚,吴真龙,等. 一种激光外延结构及制作方法. CN109546530A. 2019-03-29.
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