| DFB激光器外延结构及其制备方法 | |
| 单智发; 张永 | |
| 2019-03-22 | |
| 著作权人 | 全磊光电股份有限公司 |
| 专利号 | CN109510063A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | DFB激光器外延结构及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种DFB激光器外延结构，其包括其包括自下而上依次层叠设置的衬底、光栅层、缓冲层、限制层、下波导层、量子阱、上波导层、上限制层、过渡层、腐蚀阻挡层、包层、势垒渐变层和欧姆接触层。本发明还涉及所述DFB激光器外延结构的制备方法。本发明提供的DFB激光器外延结构将光栅设置于N型层，由于N型半导体材料中，传输电流的载流子是电子，其具有比P型半导体载流子空穴更长的载流子寿命和输运长度，可以减小寄生电阻，提高DFB激光器的调制速率。 |
| 公开日期 | 2019-03-22 |
| 申请日期 | 2019-01-15 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92360]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 全磊光电股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 单智发,张永. DFB激光器外延结构及其制备方法. CN109510063A. 2019-03-22. |
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