THz天线及其制作方法
梁松; 朱洪亮
2019-01-04
著作权人中国科学院半导体研究所
专利号CN109149322A
国家中国
文献子类发明申请
其他题名THz天线及其制作方法
英文摘要本发明提供了一种THz天线制作方法,包括:在衬底上依次生长缓冲层、波导层及间隔层;选择性去除衬底上增益区的间隔层后生长量子阱材料层;选择性去除衬底上增益区外的量子阱材料层;选择性去除衬底上混频器区的间隔层材料后生长混频器材料层;选择性去除衬底上混频器区外的混频器材料层,并选择性去除衬底上相位区内的间隔层后生长接触层,制备THz天线材料;利用所制备的THz天线材料制作所述THz天线。本发明还提供了一种THz天线。本发明THz天线及其制作方法,将多种功能光电子器件制作于同一衬底之上,有效提高了整个系统性能。
公开日期2019-01-04
申请日期2017-06-27
状态申请中
内容类型专利
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92312]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位中国科学院半导体研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
梁松,朱洪亮. THz天线及其制作方法. CN109149322A. 2019-01-04.
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