| 一种光栅、DBR激光器及光栅制备方法 | |
| 杨帆; 胡忞远; 赵建宜; 阳红涛; 刘应军 | |
| 2018-12-04 | |
| 著作权人 | 武汉光迅科技股份有限公司 |
| 专利号 | CN108933382A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种光栅、DBR激光器及光栅制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明实施例提供一种光栅、DBR激光器及光栅制备方法。所述光栅包括依次外延的第一层、第二层和第三层；其中，所述第二层为凹槽状的周期结构，所述第三层填充所述第二层凹槽并向外延展，所述第二层的材料与所述第三层的材料的折射率不相同；所述光栅的一个光栅周期的范围为200～280nm，占空比为1:1；所述凹槽深度为光栅深度，所述光栅深度范围为300～420nm。本发明实施例在刻蚀光栅区域时，通过调整RIE设备刻蚀气体流量、腔体压力、射频功率等参数，克服了刻蚀过程中的Lag效应，刻蚀出深宽比达到3:1的光栅图形，获得预设深宽比光栅，光栅的深宽比高，光栅耦合系数大，可替代均匀光栅结构最小光栅区长度的取样光栅，节省EBL制作成本，缩短制作周期。 |
| 公开日期 | 2018-12-04 |
| 申请日期 | 2018-06-21 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92284]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 武汉光迅科技股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨帆,胡忞远,赵建宜,等. 一种光栅、DBR激光器及光栅制备方法. CN108933382A. 2018-12-04. |
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