| 一种Si3N4/SiON复合膜、激光器芯片及制备方法 | |
| 逯心红; 王忠政; 洪志苍; 方瑞禹 | |
| 2018-09-04 | |
| 著作权人 | 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 |
| 专利号 | CN108493760A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种Si3N4/SiON复合膜、激光器芯片及制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种Si3N4/SiON复合膜、激光器芯片及制备方法。PECVD方法制备的Si3N4膜层的膜层应力为负应力，而PECVD方法制备的SiON膜层的膜层应力为正应力。本发明通过将具有负应力的Si3N4膜层和具有正应力的SiON膜层进行复合，形成较低应力的Si3N4/SiON复合膜，从而降低芯片制备过程中的应力叠加效应。另外，Si3N4膜层和SiON膜层均具有较好的抗水汽性能，因而制备的Si3N4/SiON复合膜能够同时具备抗水汽性能及低膜层应力性能，满足高速激光器芯片的性能要求。 |
| 公开日期 | 2018-09-04 |
| 申请日期 | 2018-04-10 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92235]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 逯心红,王忠政,洪志苍,等. 一种Si3N4/SiON复合膜、激光器芯片及制备方法. CN108493760A. 2018-09-04. |
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