| 光电子半导体芯片和其制造方法 | |
| 安德烈亚斯·鲁道夫 | |
| 2018-04-17 | |
| 著作权人 | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 专利号 | CN107924965A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光电子半导体芯片和其制造方法 |
| 英文摘要 | 提出一种光电子半导体芯片(10)，其包括p型半导体区域(4)、n型半导体区域(6)和设置在p型半导体区域(4)和n型半导体区域(6)之间的有源层，所述有源层构成为多重量子阱结构(5)，其中多重量子阱结构(5)具有量子阱层(53)和势垒层(51)，其中势垒层(51)是掺杂的，并且其中在量子阱层(53)和势垒层(51)之间设置有未掺杂的中间层(52，54)。此外，提出一种用于制造光电子半导体芯片(10)的方法。 |
| 公开日期 | 2018-04-17 |
| 申请日期 | 2016-08-26 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92190]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 安德烈亚斯·鲁道夫. 光电子半导体芯片和其制造方法. CN107924965A. 2018-04-17. |
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