| CMOS工艺中的硅上锗激光器 | |
| M·普罗斯特; M·埃尔库尔迪; P·博考德; F·伯夫 | |
| 2018-01-02 | |
| 著作权人 | 意法半导体(克洛尔2)公司 |
| 专利号 | CN107534267A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | CMOS工艺中的硅上锗激光器 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种形成锗波导的方法，包括步骤：提供P型硅衬底(1)，采用重掺杂N型锗层(3)并采用第一N型掺杂硅层(5)涂覆；形成穿透至衬底中的沟槽(7)以形成衬底条带、锗条带、以及第一硅条带(5)的堆叠；以及采用氮化硅层(9)涂覆整个结构。 |
| 公开日期 | 2018-01-02 |
| 申请日期 | 2015-03-06 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92136]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 意法半导体(克洛尔2)公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | M·普罗斯特,M·埃尔库尔迪,P·博考德,等. CMOS工艺中的硅上锗激光器. CN107534267A. 2018-01-02. |
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