| 生长在铝酸锶钽镧衬底上的GaN纳米柱及其制法与应用 | |
| 李国强; 朱运农; 李筱婵 | |
| 2017-05-10 | |
| 著作权人 | 华南理工大学 |
| 专利号 | CN106653966A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 生长在铝酸锶钽镧衬底上的GaN纳米柱及其制法与应用 |
| 英文摘要 | 本发明属于GaN纳米柱制备的技术领域，公开了生长在铝酸锶钽镧衬底上的GaN纳米柱及其制法与应用。所述生长在铝酸锶钽镧衬底上的GaN纳米柱包括铝酸锶钽镧衬底，生长在铝酸锶钽镧衬底上的GaN纳米柱模板层，生长在GaN纳米柱模板层上的GaN纳米柱阵列所述铝酸锶钽镧衬底以(111)面偏(100)方向0.5～1°为外延面；晶体外延取向关系为：GaN的(0001)面平行于La0.3Sr7AlTaO6衬底的(111)面。本发明的方法简单，所制备的GaN纳米柱阵列尺寸可控，具有晶体质量好、缺陷密度低和应力弛豫的特点。 |
| 公开日期 | 2017-05-10 |
| 申请日期 | 2016-10-31 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92117]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 华南理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李国强,朱运农,李筱婵. 生长在铝酸锶钽镧衬底上的GaN纳米柱及其制法与应用. CN106653966A. 2017-05-10. |
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