| 一种在硅片上制备高效硅基发光薄膜的方法 | |
| 季振国 | |
| 2003-09-17 | |
| 著作权人 | 浙江大学 |
| 专利号 | CN1442883A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种在硅片上制备高效硅基发光薄膜的方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开的在硅衬底上制备硅基发光薄膜的方法，包括在经过清洗的硅片衬底上热氧化生长一层氧化硅薄膜，再在其上沉积一层掺有一种或多种金属元素如锰、钛、铈、铽、铱、钇、铅、镍、钴、钙、铒、铕、铪、锶、镧、镝等的锌或含锌化合物薄膜，最后通过高温热处理使锌或含锌化合物薄膜与氧化硅膜发生反应形成晶体结构的发光硅酸锌薄膜，其发光波长与掺杂元素的种类有关。本发明提出了制备高效、稳定的硅基发光薄膜的方法。它简单、易行，而且与硅集成电路器件工艺兼容。 |
| 公开日期 | 2003-09-17 |
| 申请日期 | 2003-02-28 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92089]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 浙江大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 季振国. 一种在硅片上制备高效硅基发光薄膜的方法. CN1442883A. 2003-09-17. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论