| 一种p-GaN/ZnO基多量子阱/n-ZnO结构的发光二极管及激光器及其制备方法 | |
| 叶志镇; 陈珊珊; 潘新花; 黄靖云; 何海平; 吕斌 | |
| 2016-07-13 | |
| 著作权人 | 浙江大学 |
| 专利号 | CN105762243A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种p-GaN/ZnO基多量子阱/n-ZnO结构的发光二极管及激光器及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种p‑GaN/ZnO基多量子阱/n‑ZnO结构的发光二极管及激光器及其制备方法，该发光二极管及激光器包括p‑GaN层、ZnO/ZnMgO多量子阱层、n‑ZnO层和金属电极。其制备方法如下：首先采用分子束外延法在p‑GaN薄膜上先后制备ZnO/ZnMgO多量子阱层和n‑ZnO层；然后分别在p‑GaN及n‑ZnO区镀上金属电极。本发明所制备的器件采用ZnO/ZnMgO多量子阱作为有源层，可降低发光二极管及激光器的阈值并提高其发光效率；此外，为解决同质结构中高效稳定的p‑ZnO难以实现的问题，本发明采用p‑GaN作为空穴注入层；同时，相比于其它p型材料，GaN具有与ZnO结构相同、外延失配低的优势。 |
| 公开日期 | 2016-07-13 |
| 申请日期 | 2016-03-31 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92088]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 浙江大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 叶志镇,陈珊珊,潘新花,等. 一种p-GaN/ZnO基多量子阱/n-ZnO结构的发光二极管及激光器及其制备方法. CN105762243A. 2016-07-13. |
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