一种包括Si组合衬底的发光器件 | |
虞浩辉; 周宇杭 | |
2013-03-06 | |
著作权人 | 江苏威纳德照明科技有限公司 |
专利号 | CN102956771A |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 一种包括Si组合衬底的发光器件 |
英文摘要 | 本发明公开了一种包括Si组合衬底的发光器件,包括组合衬底,其特征在于,该组合衬底包括:单晶硅片;在单晶硅片上有一层非晶氮化硅层,非晶氮化硅层的厚度优选为200~800nm;在非晶氮化硅层上有一层单晶氮化硅薄膜,单晶氮化硅薄膜包括多个周期性排列的阵列单元,单晶氮化硅薄膜的厚度优选为10~30nm,每个阵列单元的尺寸优选为200×200nm2~1000×1000nm2,每个阵列单元之间的间隔优选为50~300nm。本发明的组合衬底具有加工方便,成本低廉的特点。同时生长的GaN外延层中位错密度非常低,可大面积生长较大厚度的GaN外延层。 |
公开日期 | 2013-03-06 |
申请日期 | 2012-10-26 |
状态 | 失效 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92067] |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 江苏威纳德照明科技有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 虞浩辉,周宇杭. 一种包括Si组合衬底的发光器件. CN102956771A. 2013-03-06. |
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