一种包括Si组合衬底的发光器件
虞浩辉; 周宇杭
2013-03-06
著作权人江苏威纳德照明科技有限公司
专利号CN102956771A
国家中国
文献子类发明申请
其他题名一种包括Si组合衬底的发光器件
英文摘要本发明公开了一种包括Si组合衬底的发光器件,包括组合衬底,其特征在于,该组合衬底包括:单晶硅片;在单晶硅片上有一层非晶氮化硅层,非晶氮化硅层的厚度优选为200~800nm;在非晶氮化硅层上有一层单晶氮化硅薄膜,单晶氮化硅薄膜包括多个周期性排列的阵列单元,单晶氮化硅薄膜的厚度优选为10~30nm,每个阵列单元的尺寸优选为200×200nm2~1000×1000nm2,每个阵列单元之间的间隔优选为50~300nm。本发明的组合衬底具有加工方便,成本低廉的特点。同时生长的GaN外延层中位错密度非常低,可大面积生长较大厚度的GaN外延层。
公开日期2013-03-06
申请日期2012-10-26
状态失效
内容类型专利
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92067]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位江苏威纳德照明科技有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
虞浩辉,周宇杭. 一种包括Si组合衬底的发光器件. CN102956771A. 2013-03-06.
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