| 一种基于双曝光工艺的DFB激光器和制作方法 | |
| 胡忞远; 杨帆; 陈如山; 方娜; 刘巍; 金灿; 阳红涛; 刘应军; 王任凡 | |
| 2017-12-08 | |
| 著作权人 | 武汉电信器件有限公司 |
| 专利号 | CN107453204A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种基于双曝光工艺的DFB激光器和制作方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及激光器技术领域，提供了一种基于双曝光工艺的DFB激光器和制作方法。本发明采用双曝光技术来制作DFB激光器中的部分光栅，即谐振腔长内并没有完全覆盖均匀光栅，而是在我们选择的两侧腔面留有一定长度的光栅间隔，从而提高了高调制频率的直调DFB激光器电特性的一致性分布且得到了更优的光谱特性。本发明利用双曝光技术来实现带有一定长度光栅间隔的非均匀光栅的制作，该方法结合全息干涉的光栅制作平台，以及用紫外光刻机和设计留有一定间隔的掩膜版图这两道曝光工艺来实现所设计的部分光栅。本发明利用折射率耦合的部分光栅配合脊型波导实现DFB激光器良好的光电特性和一致性的提升。 |
| 公开日期 | 2017-12-08 |
| 申请日期 | 2017-07-28 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92000]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 武汉电信器件有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 胡忞远,杨帆,陈如山,等. 一种基于双曝光工艺的DFB激光器和制作方法. CN107453204A. 2017-12-08. |
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