石墨烯增益耦合分布反馈式硅基混合激光器的制作方法 | |
任正良; 阚强; 袁丽君; 潘教青; 王圩 | |
2015-01-28 | |
著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
专利号 | CN104319630A |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 石墨烯增益耦合分布反馈式硅基混合激光器的制作方法 |
英文摘要 | 一种石墨烯增益耦合分布反馈式硅基混合激光器的制作方法,包括如下步骤:在SOI片的顶层硅上制作硅波导;在制作完硅波导的SOI片上制作石墨烯选区光栅,形成基片;进行金属剥离,得到键合前的SOI部分;在一衬底上依次外延生长下分离限制层、有源区和上分离限制层,形成外延片;刻蚀脊形波导;蒸镀一层金属,金属剥离,得到光耦合窗口和金属电极;减薄衬底,制作背金属电极;利用选区金属键合,完成制作。本发明工艺简单,低散射损耗,是纯增益的DFB硅基混合激光器单模效果好。 |
公开日期 | 2015-01-28 |
申请日期 | 2014-10-29 |
状态 | 失效 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91985] |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 任正良,阚强,袁丽君,等. 石墨烯增益耦合分布反馈式硅基混合激光器的制作方法. CN104319630A. 2015-01-28. |
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