| 用于高频通信的650半导体激光芯片及其制备方法 | |
| 汤庆敏; 张新; 刘存志; 张骋; 徐现刚 | |
| 2015-11-18 | |
| 著作权人 | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 专利号 | CN105071222A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 用于高频通信的650半导体激光芯片及其制备方法 |
| 英文摘要 | 一种用于高频通信的650半导体激光芯片及其制备方法，该芯片厚度为125-145μm，衬底层的N电极和有源区P面电极之间距离为125-145μm；有源区P面电极的正投影面积仅存有源区P面电极与P面电极焊盘区域。在芯片制备过程，优选了芯片有源区P面电极的结构设计，减小有源区P面电极面积至仅存P面脊区与焊盘区域，其脊区偏向芯片一端，将焊盘位于芯片中央可实现脉冲驱动下的650半导体激光器更高的频率响应时间，从而实现通信的高速传输。本发明提升了半导体激光芯片的频率响应时间，满足高频通信中采用的脉冲驱动，从而可以将廉价的650半导体激光器用于通信的光源，从而达成了塑料光纤取代石英光纤而实现高速传输的目的。 |
| 公开日期 | 2015-11-18 |
| 申请日期 | 2015-09-21 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91827]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 汤庆敏,张新,刘存志,等. 用于高频通信的650半导体激光芯片及其制备方法. CN105071222A. 2015-11-18. |
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