| 一种半导体激光器 | |
| 聂成 | |
| 2014-12-24 | |
| 著作权人 | 聂成 |
| 专利号 | CN104242049A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种半导体激光器 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种半导体激光器，包括基板，所述基板上方设置有阴极，所述阴极两端分别设置有绝缘体，所述绝缘体上设置有栅极，所述栅极之间，阴极上方中心设置有发射极，所述发射极与栅极之间分别设置有电子发射尖锥，所述发射极上方设置有磷光层，所述磷光层上方设置有玻璃板，所述玻璃板、基板、侧板构成封闭结构。本发明结构简单、制造成本低廉、发射率高、亮度均匀。 |
| 公开日期 | 2014-12-24 |
| 申请日期 | 2014-09-30 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91810]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 聂成 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 聂成. 一种半导体激光器. CN104242049A. 2014-12-24. |
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