半导体发光装置及其制造方法
久义浩; 山口勉; 西田武弘; 平松健司
2009-01-21
著作权人三菱电机株式会社
专利号CN101350500A
国家中国
文献子类发明申请
其他题名半导体发光装置及其制造方法
英文摘要本发明提供一种能够防止在向封装件安装的前后各半导体激光器元件的偏振光旋转的半导体发光装置及其制造方法。在同一衬底(11)上形成多个半导体激光器元件(10a)、(10b)。此外,在多个半导体激光器元件(10a)、(10b)的主面形成Au镀层(16)。并且,使用涂敷在Au镀层(16)上的焊料,将多个半导体激光器元件(10a)、(10b)安装在封装件(22)上。将夹持各半导体激光器元件(10a)、(10b)的发光区域而对置的区域分别作为第一区域和第二区域。并且,在各半导体激光器元件(10a)、(10b)的第一区域和第二区域,使Au镀层(16)的厚度的平均值不一致。
公开日期2009-01-21
申请日期2008-06-13
状态授权
内容类型专利
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91768]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位三菱电机株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
久义浩,山口勉,西田武弘,等. 半导体发光装置及其制造方法. CN101350500A. 2009-01-21.
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