| 半导体激光芯片及其制造方法 | |
| 胡海; 何晋国 | |
| 2014-07-30 | |
| 著作权人 | 深圳清华大学研究院 |
| 专利号 | CN103956647A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光芯片及其制造方法 |
| 英文摘要 | 一种半导体激光芯片，包括一衬底，依次磊叠设于所述衬底一侧的一第一波导层、一有源层、一第二波导层、一第一刻蚀阻挡层、一第三波导层，以及一欧姆接触层，还包括设于第三波导层和欧姆接触层之间的一第二刻蚀阻挡层，所述第二刻蚀层完全覆盖第三波导层，所述欧姆接触层的长度和宽度均小于所述半导体芯片的长度和宽度。相比于现有技术，本发明的半导体激光芯片在欧姆接触层下面设置了一刻蚀阻挡层，将靠近半导体激光芯片腔面的部分欧姆接触层蚀刻掉，同时实现P-面金属电极、欧姆接触层相对于半导体激光芯片腔面的缩进，达到了有效的降低半导体激光芯片的腔面电流的效果。 |
| 公开日期 | 2014-07-30 |
| 申请日期 | 2014-05-16 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91648]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 深圳清华大学研究院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 胡海,何晋国. 半导体激光芯片及其制造方法. CN103956647A. 2014-07-30. |
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