一种宽条形半导体激光器腔模选择方法
高欣; 薄报学; 乔忠良; 张晶; 李辉; 李特; 曲轶
2015-06-10
著作权人长春理工大学
专利号CN104701733A
国家中国
文献子类发明申请
其他题名一种宽条形半导体激光器腔模选择方法
英文摘要一种宽条形半导体激光器腔模选择方法,属于激光技术领域。该领域已知技术难以有效改善宽条形大功率半导体激光器的光束质量,使宽条形大功率半导体激光器的应用受到限制。本发明采用体光栅外腔方法,通过光栅平面法线倾斜的高反射体光栅的窄角度光束反馈,对快轴准直的宽条形大功率半导体激光器芯片的内腔横模进行选择,使呈现双峰远场分布的环行模式受到有效的外腔反馈,由于其中一个远场峰受到体光栅的高反射输出限制,实现了单峰远场激射,从而改善宽条形大功率半导体激光器的光束质量。该方法可应用于各类宽条形大功率半导体激光器的制造。
公开日期2015-06-10
申请日期2014-07-02
状态失效
内容类型专利
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91579]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位长春理工大学
推荐引用方式
GB/T 7714
高欣,薄报学,乔忠良,等. 一种宽条形半导体激光器腔模选择方法. CN104701733A. 2015-06-10.
个性服务
查看访问统计
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。


©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace