| 边缘发射半导体激光器及其生产方法 | |
| A.莱尔; H.克尼希; A.S.阿夫拉梅斯库 | |
| 2017-12-01 | |
| 著作权人 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 专利号 | CN107431333A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 边缘发射半导体激光器及其生产方法 |
| 英文摘要 | 边缘发射半导体激光器包括半导体结构，所述半导体结构具有层序列，所述层序列包括沿生长方向重叠的层。半导体结构在横向上由第一刻面（400）和第二刻面（500）划定。所述半导体结构具有中部区段（300）和邻近第一刻面的第一边缘区段（410）。所述层序列在第一边缘区段中关于中间区段在生长方向（201）上偏置。半导体结构包含衬底（100）、下部包覆层（210）、下部波导层（220）、有源层（230）、上部波导层（240）和顶部包覆层（250）。在刻面的地带中，存在电气绝缘的中间层（260），所述中间层（260）防止在刻面（400）的边缘区段（410）中通过半导体结构的电流。 |
| 公开日期 | 2017-12-01 |
| 申请日期 | 2016-03-18 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91548]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | A.莱尔,H.克尼希,A.S.阿夫拉梅斯库. 边缘发射半导体激光器及其生产方法. CN107431333A. 2017-12-01. |
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